参数资料
型号: FDMS2506SDC
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 39A POWER56
标准包装: 1
系列: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 39A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.45 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5945pF @ 13V
功率 - 最大: 3.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
其它名称: FDMS2506SDCDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS2506SDC Rev.C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDMS2508SDC MOSFET N-CH 25V 34A POWER56
FDMS2510SDC MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
FDMS2572 MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
FDMS2672 MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
FDMS2734 MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMS2508SDC 功能描述:MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS2510SDC 功能描述:MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS2572 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS2572 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDMS2572 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V 4.5A POWER 56