参数资料
型号: FDMS2508SDC
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 34A POWER56
标准包装: 1
系列: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.95 毫欧 @ 28A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4515pF @ 13V
功率 - 最大: 3.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
其它名称: FDMS2508SDCDKR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
R θ JA = 81 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS2508SDC Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDMS2510SDC MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
FDMS2572 MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
FDMS2672 MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
FDMS2734 MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
FDMS3006SDC MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMS2510SDC 功能描述:MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS2572 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS2572 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDMS2572 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V 4.5A POWER 56
FDMS2572_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 150V, 27A, 47mз