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参数资料
| 型号： | FDMS3602S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A，26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3602SDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 26 A
V DD = 10 V
10000
C iss
6
V DD = 13 V
1000
C oss
4
2
V DD = 16 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
10
20
30
40
50
50
0.1
1
10
25
R θ JC = 2 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 20. Gate Charge Characteristics
50
T J = 25 o C
10
150
120
90
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
V GS = 10 V
T J = 125 o C
T J
= 100 o C
60
30
V GS = 4.5 V
Limited by Package
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 23. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
R θ JC = 2 C/W
200
100
10
100 μ s
1 ms
10000
1000
SINGLE PULSE
o
10 ms
THIS AREA IS
1
0.1
LIMITED BY r DS ( on )
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 120 o C/W
100 ms
1s
10s
DC
100
10
T A = 25 o C
10
10
10
10
1
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
100200
1
-4
-3
-2 -1
t, PULSE WIDTH (sec)
10
100
1000
Figure 24. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 25. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3602S Rev.C5
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3604AS | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3606AS | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
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| FDMS3620S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS3616S | 功能描述:MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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