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参数资料
| 型号： | FDMS3604AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（非对称桥） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1695pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3604ASFSDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current,
Forwad
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
15
12
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.1
1.1
2
1.8
-6
-5
2.7
3
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 13 A
5.8
8
V GS = 4.5 V, I D = 11 A
Q1
8.5
11
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 13 A , T J = 125 °C
V GS = 10 V, I D = 23 A
V GS = 4.5 V, I D = 21 A
Q2
7.8
2
2.6
10.8
2.6
3.5
m Ω
V GS = 10 V, I D = 23 A , T J = 125 °C
2.6
4
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 13 A
V DS = 5 V, I D = 23 A
Q1
Q2
61
130
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1273
3078
461
1169
50
98
1695
4095
615
1555
75
150
pF
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
0.6
0.8
2
3
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q2
8.2
13
16
23
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1:
V DD = 15 V, I D = 13 A, R GEN = 6 Ω
Q2:
V DD = 15 V, I D = 23 A, R GEN = 6 Ω
V GS = 0 V to 10 V Q1
V DD = 15 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 13 A
Q2
V DD = 15 V,
I D = 23 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
2.5
4.8
20
31
2.2
3.4
21
47
10
22
3.9
9
3.1
5.5
10
10
32
50
10
10
29
66
14
31
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3604AS Rev.C4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3606AS | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS3620S | 功能描述:MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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