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参数资料
| 型号： | FDMS3660S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3660SFSDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25 o C unless otherwise noted
10
I D = 30 A
10000
8
6
4
V DD = 10 V
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
V DD = 20 V
100
C rss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 20. Gate Charge Characteristics
100
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 2.2 C/W
V GS = 10 V
o
T J = 25 o C
120
V GS = 4.5 V
10
T J = 100 o C
80
T J = 125 o C
40
Limited by Package
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 23. Maximun Continuous Drain
Current vs Case Temperature
R θ JA = 120 C/W
200
100
100 μ s
2000
1000
SINGLE PULSE
o
10
1 ms
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS ( on )
10 ms
100 ms
SINGLE PULSE
1s
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 120 o C/W
T A = 25 o C
0.1
1
10
10s
DC
100200
1
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 24. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 25. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3660S Rev.C3
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 |
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| FDMS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMS3662 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3664S | 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3668S | 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3669S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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