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参数资料
| 型号： | FDMS7650DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 0.99 毫欧 @ 36A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 206nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14765pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7650DCDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 36 A
50000
10000
C iss
6
V DD = 10 V
V DD = 15 V
C oss
4
V DD = 20 V
1000
2
0
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
30
60
90
120
150
0.1
1
10
30
R θ JC = 1.0 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
300
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
40
10
T J = 25 o C
250
200
150
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
T J = 100 o C
100
T J = 125 o C
50
Limited by Package
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
500
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
100
10
1 ms
1000
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 81 o C/W
T A = 25 o C
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 81 o C/W
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
1
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7650DC Rev.C4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7658AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7660AS | MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56 |
| FDMS7660 | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7656AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7658AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7660 | 功能描述:MOSFET 30/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7660AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7670 | 功能描述:MOSFET 30V 42A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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