参数资料
型号: FDMS8020
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫欧 @ 26A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 15V
功率 - 最大: *
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-PQFN(5x6)
包装: 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS8020 Rev. C
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDMS8023S MOSFET N-CH 30V POWER56
FDMS8025S MOSFET N-CH 30V POWER56
FDMS8026S MOSFET N-CH 30V POWER56
FDMS8027S MOSFET N-CH 30V POWER56
FDMS8320L MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMS8023S 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS8025S 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS8026S 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS8027S 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS8090 功能描述:MOSFET 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube