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参数资料
| 型号： | FDMS86101DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3135pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
V DS = 80 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
100
70
1
±100
V
mV/°C
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
2
2.7
-10
4
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 14.5 A
6
7.5
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 6 V, I D = 11.5 A
8.3
12
m Ω
V GS = 10 V, I D = 14.5 A, T J = 125 °C
10
13
g FS
Forward Transconductance
V DD = 10 V, I D = 14.5 A
44
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 50 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
0.1
2354
467
23
1.4
3135
625
35
3
pF
pF
pF
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
14
25
ns
t r
t d(off)
t f
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
V DD = 50 V , I D = 14.5 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
8.2
25
5.5
17
40
11
ns
ns
ns
Q g(TOT)
Q gs
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Total Gate Charge
V GS = 0 V to 10 V
V GS = 0 V to 5 V
V DD = 50 V
I D = 14.5 A
31
18
8.3
44
25
nC
nC
nC
Q gd
Gate to Drain “Miller” Charge
7
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
Source to Drain Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 2.7 A
V GS = 0 V, I S = 14.5 A
(Note 2)
(Note 2)
0.71
0.78
1.2
1.3
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = 14.5 A, di/dt = 100 A/ μ s
54
62
87
99
ns
nC
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86101DC Rev. C4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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