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参数资料
| 型号： | FDMS86320 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.7 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2640pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
3000
8
6
I D = 10.5 A
V DD = 40 V
V DD = 30 V
V DD = 50 V
1000
C iss
C oss
100
4
C rss
2
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
5
10
15
20
25
30
5
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
60
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
40
30
V GS = 8 V
20
Limited by Package
R θ JC = 1.8 C/W
T J = 125 o C
10
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , C ASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
10
100 us
100
T A = 25 o C
1 ms
1
THIS AREA IS
10 ms
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1s
10
10
10
10
0.01
0.01
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
10 s
DC
100
500
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS86320 Rev . C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86322 | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 |
| FDMS86500DC | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| FDMS86500L | MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN |
| FDMS86520L | MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN |
| FDMS86520 | MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86322 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS86350 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 80V/20V NCH POWER TRENCH - Tape and Reel 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / PT7 80V/20V Nch Power Trench |
| FDMS86500DC | 功能描述:MOSFET 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86500L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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