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参数资料
| 型号： | FDN302P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 882pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN302PDKR |
Typical Characteristics
15
3
V GS = -4.5V
-3.5V
V GS = -2.0V
12
-4.0V
-3.0V
-2.5V
2.5
9
2
-2.5V
6
1.5
-3.0V
3
-2.0V
1
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
0
3
6
9
12
15
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.5
1.4
1.3
I D = -2.4A
V GS = -4.5V
0.16
0.14
0.12
I D = -1.2 A
1.2
0.1
1.1
1
0.08
T A = 125 o C
0.9
0.8
0.06
0.04
T A = 25 o C
0.7
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
0.02
1.5
2
2.5 3 3.5 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
5
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
12
V DS = - 5V
T A = 125 o C
25 o C
10
V GS = 0V
10
-55 o C
1
8
0.1
T A = 125 o C
6
0.01
25 o C
-55 o C
4
0.001
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN302P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN304PZ | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
| FDN304P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 PCH 20V :ROHS COMPLIANT |
| FDN302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN302P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN304P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
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