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参数资料
| 型号： | FDN327N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 423pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN327NDKR |
October 2001
FDN327N
N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
? 2 A, 20 V.
R DS(ON) = 70 m ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 80 m ? @ V GS = 2.5 V
R DS(ON) = 120 m ? @ V GS = 1.8 V
Applications
? Load switch
? Low gate charge (4.5 nC typical)
SuperSOT -3
?
?
Battery protection
Power management
D
TM
G
S
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
S
G
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
2
A
– Pulsed
8
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.5
W
(Note 1b)
0.46
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
250
75
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
327
Device
FDN327N
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN327N Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN335N | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
| FDN336P-NL | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 |
| FDN337N | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
| FDN338P | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 |
| FDN339AN | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN327N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN327N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN327N Series 20V 70 mOhm N-Ch 1.8Vgs Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN335 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN335N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN335N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
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