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参数资料
| 型号： | FDN335N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN335NDKR |
April 1999
FDN335N
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET
General Description
Features
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
Applications
? DC/DC converter
? Load switch
D
S
?
?
?
?
1.7 A, 20 V. R DS(ON) = 0.07 ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 0.100 ? @ V GS = 2.5 V.
Low gate charge (3.5nC typical).
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
High power and current handling capability.
D
SuperSOT -3
TM
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
1.7
A
- Pulsed
8
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.5
W
(Note 1b)
0.46
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
250
75
° C/W
° C/W
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
335
Device
FDN335N
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN335N Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN336P-NL | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 |
| FDN337N | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
| FDN338P | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 |
| FDN339AN | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 |
| FDN340P | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN335N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN335N_NL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN335N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN335N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN335N Series 20 V 0.07 Ohm N-Channel 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN336 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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