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参数资料
| 型号： | FDN306P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1138pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN306PDKR |
December 2001
FDN306P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications.
? –2.6 A, –12 V.
R DS(ON) = 40 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 50 m ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 80 m ? @ V GS = –1.8 V
Applications
? Battery management
? Load switch
? Battery protection
D
S
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? SuperSOT TM -3 provides low R DS(ON) and 30% higher
power handling capability than SOT23 in the same
footprint
D
SuperSOT -3
TM
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–12
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
– 2.6
A
– Pulsed
– 10
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
0.5
W
(Note 1b)
0.46
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
250
75
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
306
Device
FDN306P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN306P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN308P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
| FDN327N | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 |
| FDN335N | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
| FDN336P-NL | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 |
| FDN337N | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN306P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:MOSET , -12V/2.6A, SSOT3 |
| FDN306P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN306P Series 12 V 40 mOhm P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN308P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN308P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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