型号: |
FDN308P |
厂商: |
Fairchild Semiconductor |
文件页数: |
1/5页 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
产品培训模块: |
High Voltage Switches for Power Processing
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产品变化通告: |
Mold Compound Change 08/April/2008
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标准包装: |
1 |
系列: |
PowerTrench® |
FET 型: |
MOSFET P 通道,金属氧化物
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FET 特点: |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss): |
20V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
1.5A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
125 毫欧 @ 1.5A,4.5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
1.5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
5.4nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
341pF @ 10V
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功率 - 最大: |
460mW
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安装类型: |
表面贴装
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封装/外壳: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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供应商设备封装: |
3-SSOT
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包装: |
标准包装 |
其它名称: |
FDN308PFSDKR
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