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参数资料
| 型号： | FDN308P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 341pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDN308PFSDKR |
Typical Characteristics
10
2
8
V GS = -4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
1.8
V GS = -2.5V
1.6
6
-2.5V
1.4
4
1.2
-3.0V
-3.5V
2
-2.0V
1
-4.0V
-4.5V
0
0.8
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.5
0.34
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.4
1.3
I D = -1.5A
V GS = -4.5V
0.3
0.26
I D = -0.8 A
1.2
0.22
1.1
1
0.9
0.8
0.18
0.14
0.1
T A = 25 o C
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.7
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0.06
1
2 3 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
10
8
V DS = - 5V
o
o
10
1
V GS = 0V
125 C
o
T A = 125 o C
6
4
2
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN308P Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN308P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN327N | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN327N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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