参数资料
型号: FDN337N
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
产品变化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图: SuperSOT-3, SOT-23
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V
功率 - 最大: 460mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-SSOT
包装: 标准包装
产品目录页面: 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDN337NDKR
Typical Electrical Characteristics
6
5
4
V GS = 4.5V
3.0
2.5
2.0
2
1.8
1.6
V GS = 2.0V
3
1.5
1.4
2.5
2
1.2
3.0
3.5
1
1
4.5
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.8
0
1
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate
1.6
1.4
1.2
1
I D = 2.2A
V GS = 4.5 V
0.25
0.2
0.15
0.1
125°C
I D = 1.1A
25°C
0.8
0.05
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
125
150
0
1
2 3 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
7
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
4
6
V DS = 5.0V
T J = -55°C
125°C
25°C
2
0.5
V GS = 0V
T J = 125°C
5
4
3
0.1
0.01
25°C
-55°C
2
0.001
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDN337N Rev.C
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