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参数资料
| 型号： | FDN342P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDN342PDKR |
August 1999
FDN342P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET
General Description
Features
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in
a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's
advanced PowerTrench process. It has been optimized
for power management applications for a wide range
of gate drive voltages (2.5V - 12V).
Applications
? Load switch
? Battery protection
? Power management
D
S
?
?
?
?
-2 A, -20 V. R DS(ON) = 0.08 ? @ V GS = -4.5 V
R DS(ON) = 0.13 ? @ V GS = -2.5 V.
Rugged gate rating ( ± 12V).
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
Enhanced power SuperSOT TM -3 (SOT-23).
D
SuperSOT -3
TM
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
± 12
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
-2
A
- Pulsed
-10
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.5
W
(Note 1b)
0.46
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
250
75
° C/W
° C/W
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
FDN342P
Device
FDN342P
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN342P Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN352AP | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
| FDN357N | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
| FDN358P | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 |
| FDN359BN | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN342P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN352AP | 功能描述:MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDN357N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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