参数资料
型号: FDN342P
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Wire Bonding Change 07/Nov/2008
Mold Compound Change 08/April/2008
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 635pF @ 10V
功率 - 最大: 460mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-SSOT
包装: 标准包装
其它名称: FDN342PDKR
Typical Characteristics
5
(continued)
1000
4
I D = -2A
V DS = -5V
-10V
800
f = 1MHz
V GS = 0 V
-15V
C ISS
3
2
600
400
1
0
200
0
C OSS
C RSS
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA =270 C/W
T A =25 C
10
R DS(ON) LIMIT
16
o
o
1ms
10ms
12
1
100ms
V GS = -4.5V
10s
1s
8
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 270 o C/W
T A = 25 o C
DC
4
0
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 270 ° C/W
P(pk)
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDN342P Rev. B
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