- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录423 > FDN342P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDN342P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDN342PDKR |
Typical Characteristics
20
2
15
V GS = -4.5V
-4.0V
-3.5V
1.8
V GS = -2.5V
-3.0V
1.6
-3.0V
10
-2.5V
1.4
-3.5V
5
1.2
-4.0V
-4.5V
0
-2.0V
1
0
1
2
3
4
5
0.8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
4
8
12
16
20
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -2.0A
V GS = -4.5V
0.3
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
I D = -1A
1.4
0.2
1.2
1
0.1
T A = 125 o C
0.8
0.6
0
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
125 C
8
6
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
o
100
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
4
0.1
0.01
2
0.001
0
0.4
1.4
2.4
3.4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDN342P Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN352AP | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
| FDN357N | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
| FDN358P | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 |
| FDN359BN | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN342P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN352AP | 功能描述:MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN352AP_0508 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel, PowerTrench MOSFET |
| FDN352AP-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN352AP Series 30 V 180 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN357N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。