型号: | FDN357N |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | SUPERSOT-3 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 84K |
代理商: | FDN357N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDN358 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDN358P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDN359BN | N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET |
FDN359 | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
FDN359AN | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDN357N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
FDN357N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 60 MO SSOT3 |
FDN357N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN358 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDN358P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |