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参数资料
| 型号： | FDN358P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 182pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN358PDKR |
Typical Characteristics
5
4
3
V GS =-10V
-6.0V
-4.5V
-3.5V
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS =-4.0V
-4.5V
2
1.4
-5.0V
1
-3.0V
1.2
-6.0V
-7.0V
0
1.0
-10V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.8
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
1
2 3
-I D , DRAIN CURRENT (A)
4
5
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -1.5A
V GS = -10V
1.4
1.2
0.4
0.3
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -0.75A
T A = 125 o C
0.2
1
T A = 25 o C
0.8
0.1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
5
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
V GS = 0V
4
3
125 o C
1
0.1
T A = 125 o C
25 o C
2
1
0
0.01
0.001
0.0001
-55 o C
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN358P Rev G (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN359BN | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
| FDN361BN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| FDN372S | MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 |
| FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN358P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| FDN358P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:Single Pch, Logic Level, Power |
| FDN358P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN358P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN358P Series 30V 125 mOhm Single P-Ch Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN359 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
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