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参数资料
| 型号： | FDP025N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 226nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14885pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 395W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
700
V GS = 15.0 V
1000
*Notes:
175 C
25 C
-55 C
100
10
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
100
10
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
o
2. T C = 25 C
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
0.01
0.1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
1
1
2
3
4 5 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
2.5
V GS = 10V
100
o
25 C
2.0
V GS = 20V
10
o
1.5
*Notes:
*Note: T C = 25 C
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.0
0
100 200 300
400
1
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
16000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
12000
8000
C iss
C oss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
6
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
4
4000
C rss
2
*Note: I D = 75A
0
0.1
1 10
60
0
0
40 80 120 160
200
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP025N06 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
| FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDP030N06B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 195A, 3.1m |
| FDP030N06B_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 60V 2.5MOHM TO-220 - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / PT7 60V 2.5MOHM TO-220 |
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