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参数资料
| 型号： | FDP025N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 226nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14885pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 395W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP025N06 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
| FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
| FDP040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP027N08B | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP027N08B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP030N06 | 功能描述:MOSFET NCH 60V 3.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP030N06B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 195A, 3.1m |
| FDP030N06B_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 60V 2.5MOHM TO-220 - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / PT7 60V 2.5MOHM TO-220 |
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