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参数资料
| 型号： | FDP036N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 227W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.1
1.8
1.05
1.5
1.00
1.2
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
0.9
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
2. I D = 10mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.6
-100
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2000
1000
10 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
100
100 μ s
1ms
150
10
Operation in This Area
10ms
DC
100
Limited by package
is Limited by R DS(on)
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
1
*Notes:
o
o
50
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.1
3. Single Pulse
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Unclamped Inductive Switching Capability
100
If R = 0
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 150 C
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS -V DD )+1]
o
10
o
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP036N10A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP045N10A | MSOFET N-CH 100V TO-220-3 |
| FDP047N08 | MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 |
| FDP047N10 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 |
| FDP050AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP038AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP038AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDP038AN06A0_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 80A, 3.8mз |
| FDP038AN06A0_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.8m?? |
| FDP038AN06A0_F102 | 制造商:Fairchild 功能描述:60V/80A N-CH MOSFET |
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