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参数资料
| 型号： | FDP047N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15265pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
300
8V
7V
6.5 V
400
175 C
-55 C
100
10V
6.0 V
100
o
o
25 C
5.5 V
V GS = 5V
10
o
2. T C = 25 C
10
6
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
5
1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
175 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
10
8
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
300
100
o
25 C
6
4
V GS = 10V
o
2
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0
0
100 200 300
o
400
2
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
C iss
C oss
C rss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
4
2
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
0
0.1
1 10
30
0
0
30
*Note: I D = 75A
60 90 120 150
180
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047N10 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDP050AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP050AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP053N08B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 80V, 120A, 5.3mW |
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