参数资料
型号: FDP15N65
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
标准包装: 50
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 440 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3095pF @ 25V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF15N65 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDD8896_F085 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
UU16LFNP-152 CHOKE COMMON MODE 1.5MH PC MNT
CSA309-33.000MABJ CRYSTAL 33.000 MHZ 18PF CYL
CSA309-28.000MABJ CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF CYL
CSA309-18.432MABJ-UB CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF CYL
相关代理商/技术参数
参数描述
FDP15N65_0610 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET
FDP15N65_0704 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET
FDP16AN08A0 功能描述:MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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