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参数资料
| 型号： | FDP15N65 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3095pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO220, Molded, 3-Lead, Full Pack, EIAJ SC91, Straight Lead
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?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF15N65 Rev. C1
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8896_F085 | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK |
| UU16LFNP-152 | CHOKE COMMON MODE 1.5MH PC MNT |
| CSA309-33.000MABJ | CRYSTAL 33.000 MHZ 18PF CYL |
| CSA309-28.000MABJ | CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF CYL |
| CSA309-18.432MABJ-UB | CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF CYL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP15N65_0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET |
| FDP16AN08A0 | 功能描述:MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP16G | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP16N50 | 功能描述:MOSFET 500V 16A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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