参数资料
型号: FDP15N65
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
标准包装: 50
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 440 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3095pF @ 25V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF15N65 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDD8896_F085 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
UU16LFNP-152 CHOKE COMMON MODE 1.5MH PC MNT
CSA309-33.000MABJ CRYSTAL 33.000 MHZ 18PF CYL
CSA309-28.000MABJ CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF CYL
CSA309-18.432MABJ-UB CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF CYL
相关代理商/技术参数
参数描述
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