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参数资料
| 型号： | FDP15N65 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 650V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 16 A, 650 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 1312K |
| 代理商： | FDP15N65 |
4
www.fairchildsemi.com
FDP15N65 / FDPF15N65 Rev. A
F
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
18
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-100
-50
-50
0
50
100
100
150
150
200
200
0.0
0.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.5
2.5
3.0
3.0
* Notes :
1. V
= 10 V
2. I
2. I
D
= 7.5 A
R
D
,
D
T
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
0
50
1. V
GS
= 10 V
※
R
D
,
D
o
C]
Figure 9-1. Safe Operating Area for FDP15N65 Figure 9-2. Safe Operating Area for FDPF15N65
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDP16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
| FDB16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
| FDP16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDPF16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP15N65_0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET |
| FDP16AN08A0 | 功能描述:MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP16G | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP16N50 | 功能描述:MOSFET 500V 16A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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