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参数资料
| 型号： | FDP51N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 51A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3410pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 320W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FDP51N25
D=0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.02
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.39 C/W Max.
10
-2
0.01
* Notes :
0
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
single pulse
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
t 1 , Square W ave Pulse Duration [sec]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FDPF51N25 / FDPF51N25YDTU
D=0.5
0
0.2
0.1
0.05
P DM
10
1. Z θ JC (t) = 3.3 C/W Max.
-1
0.02
0.01
single pulse
t 1
t 2
* Notes :
0
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP51N25 / FDPF51N25 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
| FDP5800 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| FDP5N60NZ | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 |
| FDP61N20 | MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 |
| FDP65N06 | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP51N25_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDP52N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP5500 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP5500_F085 | 功能描述:MOSFET 55V NCHAN UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP55N06 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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