型号: | FDP5645 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | CONN RCPT .100 36POS GOLD T/H |
中文描述: | 83 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 422K |
代理商: | FDP5645 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDB5645 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET(N沟道PowerTrench MOS场效应管) |
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FDP5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
FDPF5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
FDP6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP5645_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP5680 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP5680_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP5690_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |