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参数资料
| 型号： | FDP6030L |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 52 A, 30 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | FDP6030L |
FDP6030L Rev.C
1
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 26A
V = 6.0V
24V
12V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
800
2000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
C ss
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0.5
1
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 2 C/W
T = 25 °C
JC
10μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.01
0.1
1
10
100
1,000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R = 2 °C/W
T = 25°C
JC
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.0 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
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参数描述 |
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| FDP6035L | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP603AL | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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