型号: | FDP61N20 |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 |
产品目录绘图: | MOSFET TO-220 Pkg |
标准包装: | 400 |
系列: | UniFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 61A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 41 毫欧 @ 30.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3380pF @ 25V |
功率 - 最大: | 417W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
供应商设备封装: | TO-220 |
包装: | 管件 |
产品目录页面: | 1607 (CN2011-ZH PDF) |