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参数资料
| 型号： | FDP8443_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
1.0
0.8
200
160
120
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
V GS = 10V
0.6
80
0.4
0.2
40
0.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
175
0
25
50
75 100 125 150
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
175
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.01
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4 -3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0
1
5000
1000
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 - T C
I = I 2
150
100
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
0
1
Figure 4. Peak Current Capability
FDP8443 _F085 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8447L | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
| FDP8860 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB |
| FDP8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220 |
| FDP8874 | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB |
| FDP8876 | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8447L | 功能描述:MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8447L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDP8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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