型号: | FDP8874_NL |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 80 A, 30 V, 0.0066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | LEAD FREE, TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 264K |
代理商: | FDP8874_NL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDP8876 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP8878 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m Ohm |
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FDPF12N35 | 350V N-Channel MOSFET |
FDPF2710T | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 2.7 to 2.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP8876 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
FDP8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |