- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP8896 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP8896 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.9 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
10
V DD = 15V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
4
WAVEFORMS IN
V GS = 0V, f = 1MHz
2
DESCENDING ORDER:
I D = 35A
I D = 16A
100
0.1
1
10
30
0
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
FDP8896 Rev. A 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8N50NZ | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 |
| FDPC8011S | MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33 |
| FDPF045N10A | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
| FDPF085N10A | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
| FDPF10N50FT | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 92A, 5.9mヘ |
| FDP8896_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET. (Transferred to alternate site. Please contact local reps fo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8N50NZ | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8N50NZF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 7A, 1?? |
| FDP8N60ZU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 6.5A, 1.35Ω |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。