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参数资料
| 型号： | FDPF10N60ZUT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1980pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
V GS = 10.0 V
30
25 C
20
8.0 V
7.0 V
20
o
6.5 V
150 C
10
6.0 V
5.5 V
10
o
5.0 V
2. T C = 25 C
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
1
1
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
20
1
3
4
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
150 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.2
1.1
1.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
25 C
0.9
V GS = 10V
10
o
0.8
V GS = 20V
* Note : T J = 25 C
0.7
0.6
0
5
10 15 20 25
I D , Drain Current [A]
o
30
1
0.0
Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.0
Figure 5. Capacitance Characteristics
3000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
2500
2000
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
8
6
V DS = 150V
V DS = 380V
V DS = 400V
1500
4
1000
500
C rss
2
* Note : I D = 10A
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
10 20 30
Q g , Total Gate Charge [nC]
40
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF10N60ZUT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF12N50FT | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
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参数描述 |
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