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参数资料
| 型号： | FDPF10N60ZUT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1980pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperaure
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
100
20 μ s
1.1
1.0
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
100 μ s
1ms
10ms
T J , Junction Temperature [ C]
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.1
0.01
1
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
8
6
4
2
0
25
50 75 100 125
150
T C , Case Temperature [ C]
o
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
5
0.5
1
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 3.0 C/W Max.
0.01
Single pulse
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
1 10
10
10
0.01
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
2
3
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF10N60ZUT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF12N50FT | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
| FDPF12N50NZT | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
| FDPF12N50T | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
| FDPF12N50UT | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 |
| FDPF12N60NZ | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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