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参数资料
| 型号： | FDPF12N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1676pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
30
V GS = 15.0 V
10.0 V
Figure 2. Transfer Characteristics
100
10
8.0 V
7.0 V
150 C
25 C
6.0 V
5.5 V
5.0 V
10
o
o
-55 C
1
1
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
0.1
3
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 5 6 7
V GS , Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
0.9
o
0.8
25 C
0.7
0.6
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
Notes:
* Note : T J = 25 C
0.5
0
5
10 15 20 25
o
30
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
100
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C iss
C oss
8
6
4
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
Crss = Cgd
* Note:
C rss
2
10
0.1
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
* Note : I D = 12A
6 12 18 24
Q g , Total Gate Charge [nC]
30
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF13N50FT | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F |
| FDPF14N30T | MSOFET N-CH 300V 14A TO-220F |
| FDPF15N65YDTU | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F |
| FDPF16N50UT | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3 |
| FDPF17N60NT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF13N50FT | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF13N50FT_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54?? |
| FDPF13N50NZ | 功能描述:MOSFET N-CH UNIFET2 SINGLE GAGE 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF14N30 | 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF14N30T | 功能描述:MSOFET N-CH 300V 14A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:UniFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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