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参数资料
| 型号： | FDPF16N50UT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1945pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
(Continued)
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
10
vs. Temperature
1.2
2
10 ? s
10
1.1
1
100 ? s
1 ms
10 ms
10
1.0
0.9
* Notes :
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 ms
DC
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 ? A
-1
* Notes :
o
o
T J , Junction Temperature [ C]
10
10
10
10
0.8
-100
-50
0 50 100
o
150
200
-2
0
3. Single Pulse
1 2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
o
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
P DM
10
- 1
0.02
0.01
t 1
t 2
1. Z ? JC (t) = 3.3 C/W Max.
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
-2
single pulse
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
10
- 5
10
- 4
10
-3
10
- 2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF16N50UT Rev C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF17N60NT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDPF18N20FT | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
| FDPF18N50T | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F |
| FDPF190N15A | MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F |
| FDPF20N50FT | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF17N45T | 功能描述:MOSFET UniFET 450V 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF17N60NT | 功能描述:MOSFET UniFET2 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N20F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 200V, 18A, 0.145ヘ |
| FDPF18N20FT | 功能描述:MOSFET UniFET 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N20FT_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 18A TO220F |
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