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参数资料
| 型号： | FDPF16N50UT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1945pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 1 5 . TO220, Molded, 3-Lead, Full Pack, EIAJ SC91, Straight Lead
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?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF16N50UT Rev C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF17N60NT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDPF18N20FT | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
| FDPF18N50T | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F |
| FDPF190N15A | MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F |
| FDPF20N50FT | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF17N45T | 功能描述:MOSFET UniFET 450V 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF17N60NT | 功能描述:MOSFET UniFET2 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N20F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 200V, 18A, 0.145ヘ |
| FDPF18N20FT | 功能描述:MOSFET UniFET 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N20FT_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 18A TO220F |
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