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参数资料
| 型号： | FDPF18N50T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15.0 V
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
10
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
10
25 C
-55 C
0
1
o
o
o
10
2. T C = 25 C
-1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.6
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.5
V GS = 10V
0.4
1
0.3
V GS = 20V
150 o C
* Note : T J = 25 C
25 C
0.2
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
4000
3000
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
6
2000
* Note :
4
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 18A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP18N50 / FDPF18N50 / FDPF18N50T Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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