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参数资料
| 型号： | FDPF18N50T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve - FDP18N50
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
P DM
1 . Z θ J C ( t) = 0 .5 3
C /W M a x .
10
-2
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
* N o te s : t 2
o
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve - FDPF18N50 / FDPF18N50T
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P DM
* N o te s :
t 1
t 2
1 . Z θ J C ( t) = 3 .3
o
C /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
10
-2
s in g le p u ls e
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP18N50 / FDPF18N50 / FDPF18N50T Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF190N15A | MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F |
| FDPF20N50FT | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| FDPF20N50T | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| FDPF2710T | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F |
| FDPF320N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF190N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF19N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω |
| FDPF20N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF20N50FT | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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