- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF770N15A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF770N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 765pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
1.08
2.0
1.04
1.6
1.00
1.2
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 10A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.92
-80
-40 0 40 80 120
o
160
0.4
-80
-40 0 40 80 120
o
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
1. T C = 25 C
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
0.1 *Notes:
o
100 μ s
1ms
10ms
100ms
DC
8
6
4
2
V GS = 10V
2. T J = 150 C
R θ JC = 5.9 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.005
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
200
0
25
o
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
30 60 90 120
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF770N15A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF7N60NZ | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F |
| FDPF8N50NZF | MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F |
| FDPF8N50NZT | MOSFET N-CH 500V8A TO-220F |
| FDPF8N50NZU | MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F |
| FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF79N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF7N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF7N50F | 功能描述:MOSFET 500V 6A 1.15Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF7N50U | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF7N50U_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。