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参数资料
| 型号： | FDR8305 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210 |
| 中文描述： | 双N沟道MOSFET的为2.5V指定的PowerTrench |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | FDR8305 |
F
FD8305N Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0
500
1000
1500
2000
2500
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 4.5A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
0.0001
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=156
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
0.05
0.02
0.2
r
D = 0.5
0.1
0.01
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
156
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
2
t
1
t
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
DS(ON)
LIMIT
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= 4.5 V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=156
o
C/W
T
A
=25
o
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDR8321L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |
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