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参数资料
| 型号： | FDR8305 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210 |
| 中文描述： | 双N沟道MOSFET的为2.5V指定的PowerTrench |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | FDR8305 |
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR8305N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR8308P | CAP CER 1500PF 630VDC U2J 1210 |
| FDR8321L | CAP CER 2200PF 630VDC U2J 1210 |
| FDR836P | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDR838P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDR8305N | 功能描述:MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8308P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL -20 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8308P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
| FDR8309P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8321L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |
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