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参数资料
| 型号： | FDR838P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-8 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | FDR838P |
F
FDR838P, Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4: On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0
10
20
30
40
50
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
=-4.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
0
0.012
0.024
0.036
0.048
0.06
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=-4A
T
J
=125
o
C
25
o
C
0
10
20
30
40
50
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
DS
=-5V
T
J
=-55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
=-2.0V
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
=0
T
J
=125
o
25
o
C
-55
o
C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNTION TEMPERATUR (
o
C)
R
D
,
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR840P | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDW2520C | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDR840 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR842P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDR838P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8 |
| FDR840 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR842P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR842P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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