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参数资料
| 型号： | FDR838P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | FDR838P |
F
FDR838P, Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
V
GS
=0V
0
0.0001
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
R
DS(ON)
Limit
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
=-4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
o
C/W
T
A
=25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
8
16
24
32
40
Qg, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
=-8A
V
DS
=-5V
-10V
-15V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR840P | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDW2520C | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDR840 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR842P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDR838P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8 |
| FDR840 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR842P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR842P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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