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参数资料
| 型号： | FDS3512 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 634pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
5.0V
1.8
6.0V
4.5V
1.6
15
4.0V
1.4
V GS = 4.0V
10
5
0
1.2
1
0.8
4.5V
5.0V
6.0V
10V
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.18
2.2
1.9
1.6
I D = 4A
V GS = 10V
0.14
T A = 125 o C
I D =2A
0.10
1.3
1
0.06
0.7
0.4
0.02
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
20
V DS = 5V
15
10
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 o C
1
25 o C
0.1
5
T A = 125 o C
25 o C
0.01
0.001
-55 o C
-55 C
0
2
3
o
4
5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS3512 Rev B1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS3512_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3570 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3570 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS3570_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3570TR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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