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参数资料
| 型号： | FDS3572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS3572DKR |
November 2003
FDS3572
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
80V, 8.9A, 16m ?
Features
? r DS(ON) = 14m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 8.9A
? Q g(tot) = 31nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
? Optimized efficiency at high frequencies
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82663
Applications
? Primary switch for Isolated DC/DC converters
? Distributed Power and Intermediate Bus Architectures
? High Voltage Synchronous Rectifier for DC Bus
Converters
Branding Dash
5
5
6
4
3
1
2
7
2
3
4
8
1
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
80
± 20
Units
V
V
Drain Current
I D
E AS
P D
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Continuous (T A = 100 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
8.9
5.6
Figure 4
515
2.5
20
A
A
A
mJ
W
mW/ o C
T J , T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to 150
o
C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)
25
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)
50
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)
85
o
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS3572
Device
FDS3572
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3572 Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS3572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 80V 8.9A SOIC |
| FDS3572_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3572_Q | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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